Special points and ideal-vacancy-induced deep level in Si and some III-V semiconductors

Papp György; Beleznay Ferenc: Special points and ideal-vacancy-induced deep level in Si and some III-V semiconductors. In: Acta physica et chemica, (30) 3-4. pp. 121-126. (1984)

[thumbnail of phys_chem_030_fasc_003_004_121-126.pdf]
Előnézet
Cikk, tanulmány, mű
phys_chem_030_fasc_003_004_121-126.pdf

Letöltés (602kB) | Előnézet
Mű típusa: Cikk, tanulmány, mű
Befoglaló folyóirat/kiadvány címe: Acta physica et chemica
Dátum: 1984
Kötet: 30
Szám: 3-4
ISSN: 0001-6721
Oldalak: pp. 121-126
Nyelv: angol
Befoglaló mű URL: http://acta.bibl.u-szeged.hu/39359/
Kulcsszavak: Természettudomány, Fizika, Kémia
Megjegyzések: Bibliogr.: 126. p.; Ismertetett mű: G. Papp-F. Beleznai: Special'nye točki i glubokie urovni navedennye vakansiâmi v Si i v nekotoryh poluprovodnikah tipa III-V
Feltöltés dátuma: 2016. okt. 17. 09:25
Utolsó módosítás: 2021. jún. 01. 12:09
URI: http://acta.bibl.u-szeged.hu/id/eprint/24242
Bővebben:
Tétel nézet Tétel nézet